Al/Al2O3/CdS MIS yapısının yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, -, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2013

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Muzaffer MOĞULKOÇ

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Merih Serin

Eş Danışman: Murat Çalışkan

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, farklı oksit kalınlıkları ile oluşturulan Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ±5V aralığında incelendi. Elde edilen ölçümler ile yapının idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), taşıyıcı yoğunluğu (NA) ve arayüzey durumlarının sayısı (Nss) belirlendi. Sıcaklık artışı ile birlikte ?B ve Rs değerlerinde düşüş, n değerinde artış gözlemlenirken NA ve Nss değerlerinde incelenen sıcaklık aralığında belirgin bir değişim görülmedi. Diyotun nem algılama özelliğinin incelenmesi için nem ortamında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler sonucunda nem etkisi ile diyotun direncinde azalma meydana geldiği görüldü. Bu nedenle diyotun sensör uygulamaları için uygun bir davranış gösterdiği anlaşıldı.