YENİ BİR SIFIR AKIM VE SIFIR GERİLİM ANAHTARLAMALI İKİ ANAHTARLI İLERİ YÖNLÜ DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN TASARIMI

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Yıldız Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2019

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: ÇAĞLAR YAVUZER

Danışman: Ahmet Faruk Bakan

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tezde yüksek giriş gerilimi ve yüksek güç uygulamaları için sıkça kullanılan iki anahtarlı ileri yönlü dönüştürücü için yeni bir aktif bastırma hücresi önerilmiştir. Özellikle IGBT kullanılan ve üç-faz giriş gerilimi ile beslenen kaynak makinası veya benzeri uygulamalar için IGBT kesim anahtarlama kaybının düşürülmesi hedeflenmiştir. Önerilen devrede ana IGBT'ler sıfır akımda anahtarlama ile iletime girer. Her bir ana IGBT için bir yardımcı anahtar, bir kondansatör, bir endüktans ve iki diyot ile gerçeklenen aktif bastırma hücresi sayesinde ana IGBT'ler sıfır gerilim anahtarlama ile kesime giderek anahtarlama kayıpları düşürülür. Tezde ileri yönlü ve iki anahtarlı ileri yönlü dönüştürücülerin çalışma prensipleri incelenmiş, önerilen aktif bastırma hücresinin çalışması detaylı analiz edilmiş, önerilen devrenin bilgisayar ortamında simülasyonu yapılarak kullanılacak olan bastırma hücresi elemanlarının değerlerinin anahtarlama kaybına olan etkileri incelenmiştir.