Gallium Nitride–Based Interband Tunnel Junctions
Gallium Nitride (GaN) Physics, Devices, and Technology, Farid Medjdoub, Editör, Crc Press, Florida, Boca Raton, ss.299-326, 2017
- Yayın Türü: Kitapta Bölüm / Araştırma Kitabı
- Basım Tarihi: 2017
- Yayınevi: Crc Press
- Basıldığı Şehir: Florida, Boca Raton
- Sayfa Sayıları: ss.299-326
- Editörler: Farid Medjdoub, Editör
- Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet