Gallium Nitride–Based Interband Tunnel Junctions


AKYOL F.

Gallium Nitride (GaN) Physics, Devices, and Technology, Farid Medjdoub, Editör, Crc Press, Florida, Boca Raton, ss.299-326, 2017

  • Basım Tarihi: 2017
  • Yayınevi: Crc Press
  • Basıldığı Şehir: Florida, Boca Raton
  • Sayfa Sayıları: ss.299-326
  • Editörler: Farid Medjdoub, Editör