Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, vol.12, no.1, pp.207-216, 2022 (Peer-Reviewed Journal)
In this study, GaN p-i-n structure grown by metal-organic vapor phase epitaxy was investigated by temperature-dependent current-voltage and electroluminescence (EL) measurements. It has been observed that the GaN p-i-n structure emits yellow light with a peak energy of 2.2 eV under 50 mA injection current corresponding to the space charge limited region at forward voltage. In addition, the electric field dependence of the mobility derived from the space-charged region was determined to be Poole-Frenkel and the thermal energy gap was calculated as 0.299 eV. This calculated energy range was supported by the results obtained from the EL measurement.
Bu çalışmada, metal organik buhar fazlı epitaksi ile üretilmiş GaN p-i-n yapı, elektrolüminesans (EL)
ve sıcaklığa akım-gerilim ölçümleriyle incelenmiştir. GaN p-i-n yapının, düz besleme geriliminde uzay yükü
sınırlamalı bölgeye karşılık gelen 50 mA enjeksiyon akımı altında, tepe noktası 2.2 eV enerjisinde olan sarı ışık
yaydığı gözlenmiştir. Ayrıca, uzay yükü sınırlamalı bölgeden türetilen mobilitenin, elektrik alan bağlılığının
Poole-Frenkel türünde olduğu saptanmış ve termal enerji aralığı 0.299 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan bu
enerji aralığı, EL ölçümünden elde edilen sonuçlarla desteklenmiştir