Instability phenomenon originated from disordered layer of plasma deposited BN filmc-Si interface assessed through MIS structure by admittance measurement

---

ÖZDEMİR O., Anutgan M., Anutgan T. A., Atılgan İ., Katırcıoğlu B.

Semiconductor Science and Technology, cilt.23, 2008 (SCI-Expanded, Scopus)

• Yayın Türü: Makale / Tam Makale
• Cilt numarası: 23
• Basım Tarihi: 2008
• Dergi Adı: Semiconductor Science and Technology
• Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
• Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet