Instability phenomenon originated from disordered layer of plasma deposited BN filmc-Si interface assessed through MIS structure by admittance measurement

ÖZDEMİR O., Anutgan M., Anutgan T. A., Atılgan İ., Katırcıoğlu B.

Semiconductor Science and Technology, cilt.23, 2008 (SCI-Expanded)

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 23
  • Basım Tarihi: 2008
  • Dergi Adı: Semiconductor Science and Technology
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet