Effect of Bulk Trap in GaN Barrier Layer on the Electroluminescence Spectral Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well LED Device

ÖZDEMİR O., BOZKURT K., AYARCI N., BAŞ H., ALSHEHRI B., DOGHECHE K., ...Daha Fazla

Turkish Physical Society 35th International Physics Congress, 4 - 08 Eylül 2019

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet