Determination of the characteristic parameters of Sn/n-gaas/Al-Ge Schottky diodes by a barrier height inhomogeneity model

NUHOĞLU Ç., Yıldırım N., Turut A., Biber M., Ayyıldız E., Nuhoğlu Ç.

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, cilt.21, sa.3, ss.822-828, 2006 (SCI-Expanded, Scopus)

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 21 Sayı: 3
  • Basım Tarihi: 2006
  • Dergi Adı: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Sayfa Sayıları: ss.822-828
  • Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Hayır