Band alignment and critical layer thickness of GaIn(N)As(Sb) QWs on GaAs and InP substrates

Gönül B., Köksal K., ODUNCUOĞLU M., Bakır E.

E-MRS The European Material Conference, Strasbourg, Fransa, 07 Haziran 2010, ss.1, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Strasbourg
  • Basıldığı Ülke: Fransa
  • Sayfa Sayıları: ss.1
  • Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet