Excess Capacitance Due To Minority Carrier Injection in CrSi2/p-c-Si Isotype Junction | AVESİS

Yıldız Teknik Üniversitesi Akademik Veri Yönetim Sistemi

Excess Capacitance Due To Minority Carrier Injection in CrSi2/p-c-Si Isotype Junction

Atıf İçin Kopyala

Japanese Journal of Applied Physics, sa.49, 2010 (SCI-Expanded)

Yayın Türü: Makale / Tam Makale
Basım Tarihi: 2010
Dergi Adı: Japanese Journal of Applied Physics
Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED)
Yıldız Teknik Üniversitesi Adresli: Evet